場效應(yīng)晶體管：英文名稱為Field Effect Transistor，縮寫為FET，簡稱場效應(yīng)管。
各類場效應(yīng)管根據(jù)其溝道所采用的半導(dǎo)體材料，可分為N型溝道和P型溝道兩種。所謂溝道，就是電流通道。
場效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：
  （1）輸入阻抗高；
  （2）輸入功耗小；
  （3）溫度穩(wěn)定性好；
  （4）信號放大穩(wěn)定性好，信號失真小；
  （5）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低

IXFX32N80P IXTH11P50 IXFX27N80Q IXFN80N50Q2 IXFB100N50P
IXFN38N100Q2 IXFN140N30P IXTH50P10 IXFN50N80Q2 IXFN36N100
IXFN24N100 IXFH32N50QVUO190-16NO7 VUO160-16NO7
VHFD16-08io1 VUO122-16NO7 VUB120-16NO2 VUO110-16NO7 VUO82-16N07
VUO52-16NO1 VUO50-12NO3 VVZ40-16io1 VVZ24-12io1 VHF36-16io5
VGO36-16io7 VUO36-16NO8 VHF28-16Io5 VHF28-14io5 VBO20-16AO2
VBO13-16AO2